派瑞林材料在低于其熔点的温度下，几乎不会与任何溶剂发生反应，这使得常规的清洗方法对其束手无策。只有当温度超过150℃时，特定的溶剂如氯萘和苯甲酐才能有效地与派瑞林材料发生反应，从而进行刻蚀。但是，这样的高温条件对于许多微电子设备来说是不可接受的，因为高温可能会损坏设备的敏感元件。

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02 物理工艺

既然化学方法受到限制，物理工艺就成为了刻蚀派瑞林材料的最佳选择。另外，等离子工艺因其高效、精准的特性而备受青睐。无论是等离子刻蚀、反应离子刻蚀、反应离子束刻蚀，还是高密度等离子刻蚀和Bosch的交替化学刻蚀，都被证实能够有效地刻蚀派瑞林材料。

在这些工艺中，氧化物和金属掩膜会在刻蚀过程中反复淀积，这可能会导致表面粗糙和微条纹的形成。因此，选择合适的掩膜材料至关重要。旋涂玻璃、氮化物和溅射的α-Si都是常见的掩膜材料。然而，光刻胶掩膜因其刻蚀速率与派瑞林材料相近，导致刻蚀选择比较低。相比之下，SU-8掩膜具有更高的选择比，尽管在刻蚀后去除方面还存在挑战。

高密度等离子刻蚀和交替化学刻蚀技术则能够实现各向异性的侧壁轮廓，这对于需要高精度控制的微电子器件来说至关重要。这些技术通过精确控制等离子体的能量和分布，实现对派瑞林材料的精准刻蚀，同时避免对周围材料的损伤。

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